أيون-نظام الأغشية الرقيقة المدعوم بالتبخر

أيون-نظام الأغشية الرقيقة المدعوم بالتبخر

تفاصيل
يدمج نظام التبخر الأيوني بمساعدة التبخر (IAE) عملية ترسيب البخار الفيزيائي (PVD) مع قصف شعاع الأيونات النشط. أثناء تبخر شعاع - الحراري أو الإلكتروني، يقوم مصدر أيون كوفمان أو End- المساعد بتوجيه أيونات الأرجون أو الغاز التفاعلي إلى الركيزة المتنامية. يؤدي نقل الزخم هذا إلى تحسين حركة adatom، وإزالة الفراغات العمودية، وإنتاج أفلام كثيفة ورطبة-مستقرة مع مؤشرات انكسار قريبة من الحجم- وحد أدنى من الانجراف الحراري.
تصنيف المنتج
أيون-معدات الأغشية الرقيقة للتبخير المساعد
 
إرسال التحقيق
الوصف
معلمات التقنية

يدمج نظام التبخر الأيوني بمساعدة التبخر (IAE) عملية ترسيب البخار الفيزيائي (PVD) مع قصف شعاع الأيونات النشط. أثناء تبخر شعاع - الحراري أو الإلكتروني، يقوم مصدر أيون كوفمان أو End- المساعد بتوجيه أيونات الأرجون أو الغاز التفاعلي إلى الركيزة المتنامية. يؤدي نقل الزخم هذا إلى تحسين حركة adatom، وإزالة الفراغات العمودية، وإنتاج أفلام كثيفة ورطبة-مستقرة مع مؤشرات انكسار قريبة من الحجم- وحد أدنى من الانجراف الحراري.


تم تصميم هذا النظام خصيصًا لبيئات الإنتاج والبحث التي تتطلب تحكمًا صارمًا في الثوابت الضوئية والإجهاد المتبقي، وهو يستوعب مدافع شعاع الإلكترون المتعددة-الجيوب، ومبخرات المقاومة، وتركيبات الركيزة القابلة للتخصيص.

 

المواصفات الفنية

 

المعلمة

مواصفة

الضغط الأساسي النهائي

< 5.0 x 10^-6 Pa (achieved within 40 minutes via high-throughput cryo/turbomolecular pumping)

ضغط العمل

1.0 × 10^-1 إلى 1.0 × 10^-2 باسكال (أثناء حقن الغاز التفاعلي)

دوران الركيزة

سرعة دوران كوكبية أو أحادية المحور-متغيرة: 0–30 دورة في الدقيقة، خيارات يمكن التحكم فيها بالمياه/السخان-

مصادر التبخر

من 1 إلى 4 مسدس شعاع E- جيبي (6 كيلو واط–15 كيلو واط) و/أو مصادر مقاومة القنوات- المتعددة

نوع المصدر الأيوني

نهاية بدون شبكة-مصدر هال أو أيون كوفمان شبكي (50–500 فولت، 0–1000 مللي أمبير)

تكرار العملية

<= +/- 0.15% batch-to-batch optical thickness repeatability over a 500mm carrier area

مادة الغرفة

الفولاذ المقاوم للصدأ 304L، الجدران الداخلية كهربائية -مصقولة حتى Ra < 0.25 ميكرومتر

 

 

الميزات الرئيسية


نقل الزخم الأيوني الحقيقي-الزمني:يعمل القصف الأيوني- على تكثيف البنى المجهرية، مما يمنع امتصاص الرطوبة البيئية وتغيير معامل الانكسار. يتحقق تحليل SEM المقطعي - من عدم تكوين فراغ عمودي في أكوام الأكسيد.


مغلق-تنظيم معدل الحلقة:واجهة مصادر الطاقة التي يتم التحكم فيها PID-مباشرة مع مستشعرات توازن الكوارتز الكريستالي الصغير (QCM) متعددة القنوات للحفاظ على استقرار معدل الترسيب في حدود +/- 0.1 Å/s.


الإدارة الحرارية المنخفضة للعيوب:تعمل مجموعات السخان الإشعاعي على تمكين التنظيف المسبق للركيزة- والتليين في الموقع- حتى 400 درجة مع تجانس +/- 2.5 درجة.


الصيانة الشاملة-السريعة:تتيح مجموعات الشبكة -الوصول السريع إلى فلنجات المصدر والأيونات المعيارية- إجراء صيانة داخلية كاملة وإعادة التعبئة المستهدفة في أقل من ساعتين، مما يقلل من وقت التوقف غير المجدول في غرف الأبحاث.

 

تكوين نظام الفراغ


ضخ المكدس:مضخة دعم (جذور + ريشة دوارة) مقترنة بمضخات جزيئية توربينية عالية الإنتاجية (سعة 1600 لتر/ثانية) أو مضخات تبريد (1500 لتر/ثانية) تم تصميمها للتعامل مع أحمال الغاز التفاعلية أثناء عمليات IAE ذات المعدل العالي-.


الصمامات والختم:تعمل صمامات البوابة الهوائية وموانع التسرب المزدوجة المصنوعة من الفيتون/المعدن- على عزل غرفة العملية عن الخطوط الخشنة، مما يمنع التدفق العكسي للهيدروكربون.


تشابك الضغط:يقوم تسلسل PLC الآلي بمراقبة ضغط الخطوط الأمامية، ومعدلات تدفق مياه التبريد، وإمدادات الهواء المضغوط قبل تنشيط مدفع شعاع -الجهد E- العالي.

 

مواد التبخر وتوافق الركيزة


مواد التبخير:أكاسيد (TiO2، ZrO2، SiO2، Al2O3)، الفلوريدات (MgF2)، والمعادن عالية النقاء - (Au، Ag، Al، Ti).


مواد الركيزة:الزجاج البصري (BK7، السيليكا المنصهرة)، ورقائق السيليكون (حتى 300 مم)، وأشباه الموصلات المركبة (GaAs، InP)، والسيراميك/المعادن.


تركيب:-حاملات ركائز مخصصة مصنوعة من الألومنيوم أو الفولاذ المقاوم للصدأ تم تصميمها للتوصيل الحراري والحد الأدنى من توليد الجسيمات أثناء دوران الكواكب.

 

التطبيقات والسلسلة القابلة للتكوين

 

السلسلة -O (البصريات الدقيقة):تم تحسينه ليناسب مرشحات التداخل البصري متعددة-الطبقات، ومرايا الليزر، وطلاءات الواقع المعزز. متكامل مع المراقبة البصرية ذات النطاق العريض (OMS) والدوران الكوكبي عالي الكثافة- لضمان التحول الطيفي < 0.1% في ظل تغيرات الرطوبة المحيطة.


السلسلة-S (تغليف أشباه الموصلات وأجهزة الاستشعار):تم تصميمها خصيصًا لطبقات البذور المعدنية ذات درجات الحرارة المنخفضة -والتخميل العازل للكهرباء على رقائق السيليكون مقاس 200 مم/300 مم مع توافق قفل الجسيمات-الحمل الحر-.


سلسلة -R (البحث والتطوير / أبحاث المواد المتقدمة):تصميم حجرة عالي المرونة يدعم المصادر الأيونية المزدوجة والتبادل السريع للمصدر-على سطح المختبرات الجامعية ومراكز البحث والتطوير بالشركات.

 

التخصيص والتكامل الهندسي


أبعاد الغرفة:أحجام داخلية مخصصة تتراوح من 600 ملم إلى 1200 ملم.


مستويات الأتمتة:وصفات PLC شبه تلقائية أو وصفات غير مراقبة بالكامل يتم التحكم فيها عن طريق برنامج SCADA بشاشة اللمس - مع Audit Trail (تتوفر خيارات متوافقة مع 21 CFR الجزء 11 للإنتاج الطبي/أجهزة الاستشعار).


منافذ التشخيص:حواف NW/CF إضافية مخصصة -للقياس الإهليلجي الطيفي في الموقع أو أجهزة تحليل الغاز المتبقي (RGA).

 

مراقبة الجودة والتحقق من المصنع


كشف التسرب:تخضع كل غرفة مفرغة لاختبار تسرب مطياف كتلة الهيليوم إلى عتبة <1 × 10^-10 Pa*m^3/s قبل إطلاقها في المصنع.


التحقق من صحة البنية المجهرية:يتضمن ضمان الجودة القياسي فحصًا اختياريًا لعينة SEM المقطعية -للتحقق من كثافة الفيلم والاتساق الهيكلي.


السلامة الكهربائية:تم تنفيذ -مقاومة عزل الجهد العالي، واستمرارية التأريض، واختبار استجابة التعشيق وفقًا لمعايير CE/SEMI S2.

 

التثبيت والدعم الفني


اختبار قبول المصنع (FAT):تم الانتهاء منه في منشأة التصنيع لدينا؛ يتلقى العملاء تقرير تشغيل أساسي للتحقق من الضغط الأساسي واستقرار معدل الترسيب ومخرج التيار الأيوني.


اختبار قبول الموقع (SAT):في-يشرف المهندسون في الموقع على أعمال التركيب، ووصلات المرافق (مياه التبريد، والطاقة، والهواء المضغوط، وغازات المعالجة)، وعمليات المعايرة.


التوثيق:تشتمل أدلة الخدمة الشاملة على مخططات كهربائية، وعلامات منطقية لمصدر PLC، ومخططات لأنابيب التفريغ، وقوائم الأجزاء المستهلكة.

 

التعليمات

 

س: كيف تؤثر المساعدة الأيونية على إجهاد الفيلم في المداخن العازلة؟

ج: يعمل القصف الأيوني النشط على ضغط حدود الحبوب وتحييد إجهاد الشد الموجود عادةً في الأغشية المتبخرة، مما يسمح بتعديل الضغط من الشد إلى حالة قريبة من الصفر أو الضغط الطفيف عن طريق ضبط طاقة شعاع الأيونات وكثافة التيار.

س: ما هي الدفعة المثبتة-إلى-تكرار الدفعة للنظام؟

ج: عبر اختبار دورة حياة متواصل مدته 300 مرة باستخدام عوازل الأكسيد القياسية (SiO2/Ta2O5)، يحافظ النظام على تكرار سمك بصري يبلغ<= +/- 0.15% across a 500mm carrier area.

س: ما هي المرافق المطلوبة في موقع التثبيت؟

A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC, chilled cooling water (18–22°C, >= 5 بار)، والهواء المضغوط (0.6 ميجا باسكال)، وتهوية العادم للمضخات الميكانيكية. يتم توفير رسم خرائط دقيق للمرافق أثناء تخطيط المنشأة.

 

الوسم : أيون-نظام الأغشية الرقيقة للتبخير المساعد، الصين أيون-مصنعي نظام الأغشية الرقيقة للتبخر المساعد، الموردين، المصنع, معدات أفلام رقيقة صلبة, نظام CVD رفيع, معدات أفلام رقيقة لتطبيقات تصنيع أجهزة البيانات الكبيرة, معدات أفلام رقيقة لأجهزة الاستشعار والتطبيقات تصنيع المحركات, معدات أفلام رقيقة لتطبيقات الخلايا الشمسية, نظام معالجة الأفلام الرفيع

إرسال التحقيق
اتصل بناإذا كان لديك أي سؤال

يمكنك إما الاتصال بنا عبر الهاتف أو البريد الإلكتروني أو النموذج عبر الإنترنت أدناه. سيتصل بك المتخصص لدينا قريبًا.

اتصل الآن!