الأيونات الصناعية-نظام ترسيب الأغشية الرقيقة المساعد
يدمج نظام ترسيب الأغشية الرقيقة المساعد -الأيوني-حزمة الإلكترونات-التبخر الحراري/التبخر الحراري مع مصدر أيون-عالي الأداء من النوع-Hall أو Kaufman-. أثناء ترسيب البخار الفيزيائي (PVD)، ينقل القصف الأيوني النشط الزخم مباشرة إلى الذرات الموجودة على سطح الركيزة، مما يؤدي إلى القضاء على فراغات البنية المجهرية العمودية وإنتاج -أغشية رقيقة عالية الكثافة ومستقرة بيئيًا.
تم تصميم هذا النظام الأساسي لتصنيع البصريات الدقيقة، والإلكترونيات الدقيقة لأشباه الموصلات، ومرافق البحث والتطوير المتقدمة، ويوفر إمكانية تكرار دفعة صارمة -إلى-دفعة لمرشحات التداخل البصري المعقدة، والمعاطف الواقية الصلبة، وطبقات تخميل أشباه الموصلات.
المواصفات الفنية
|
المعلمة |
مواصفة |
|
أبعاد الغرفة |
Φ 600 مم × 600 مم (يتوفر تحجيم مخصص حتى Φ 1200 مم) |
|
الضغط الأساسي النهائي |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (Fully baked, dry pumping architecture) |
|
جناح ضخ الفراغ |
مضخة توربينية جزيئية مرفوعة مغناطيسيًا بقدرة 1600 لتر/ثانية ومدعومة بمزيج من المضخة الجافة/الجذور الحرة للزيت- |
|
مصادر التبخر |
مسدس شعاع متعدد -جيب E- (تحكم في المسح بقدرة 4 × 10 كيلووات) ومصادر حرارية مقاومة |
|
تكوين مصدر ايون |
نهاية بدون شبكة-قاعة / مصدر كوفمان شبكي (طاقة الشعاع: 50–1500 فولت، التيار الأيوني: حتى 250 مللي أمبير) |
|
تركيبات الركيزة |
مرحلة دوران كوكبي متغيرة السرعة مع تسخين الركيزة المتكامل حتى 350 درجة |
|
توحيد سماكة الفيلم |
< ± 1% (measured across Φ 400 mm effective deposition zone) |
|
نظام التحكم في العمليات |
تم دمج نظام PLC الأساسي مع جهاز كمبيوتر صناعي يعمل بالوصفة -برنامج أتمتة SCADA |
الميزات الرئيسية
الزخم-البنية المجهرية المحسنة:تعمل المساعدة الأيونية الخاضعة للتحكم على زيادة حركة سطح adatom، مما يمنع بشكل فعال نمو الحبوب العمودية المسامية ويزيل تحولات معامل الانكسار الناتجة عن امتصاص الرطوبة.
تعليقات حول سمك القناة المزدوجة-:يدمج مجسات التوازن الدقيق لبلورات الكوارتز المزدوجة (QCM) جنبًا إلى جنب مع منافذ المراقبة البصرية ذات النطاق العريض (BOM) للحصول على -نانومتر الوقت الحقيقي-سمك المقياس وتنظيم المعدل.
غرفة تفريغ فائقة النظافة-:مصنوع من الفولاذ المقاوم للصدأ 304L مع تشطيبات داخلية -كهربائية مصقولة، وصمامات بوابة ضريبة القيمة المضافة المعدنية - محكمة الغلق، وحشية معدنية تعمل بالهواء المضغوط- لتقليل إطلاق الغازات.
مغلق-تنظيم الغاز التفاعلي الحلقي:تعمل وحدات التحكم في التدفق الكتلي (MFCs) عالية الدقة- على قياس غازات الأكسجين التفاعلي والنيتروجين والأرجون بدقة أقل من-sccm لتأمين طبقات المركبات المتكافئة.
تكوين نظام الفراغ
خط التخشين:تعمل المضخات اللولبية الجافة والخالية من الزيت- محكمة الغلق على التخلص من مخاطر التلوث الهيدروكربوني في مراحل التخشين والخطوط الأمامية.
التكامل فراغ عالية:تقترن مضخات Maglev التربينية الجزيئية مباشرة بالغرفة الرئيسية عبر -صمامات بوابة هوائية عالية التوصيل تعمل على زيادة سرعة الضخ للعملية وأبخرة الماء المتبقية.
تشخيص الفراغ:توفر أجهزة قياس Pirani والكاثود البارد الزائدة تسجيلًا مستمرًا ومتقاطعًا للضغط من الغلاف الجوي حتى 10⁻⁷ Pa.
مواد التبخر وتوافق الركيزة
المواد المتبخرة:أكاسيد عازلة: SiO₂، TiO₂، Ta₂O₅، Nb₂O₅، HfO₂، Al₂O₃
الفلوريدات:MgF₂، LaF₃
المعادن المقاومة للحرارة:الاتحاد الأفريقي، حج، آل، تي، الكروم، نيكر
الأنواع الفرعية للركيزة:الفراغات الزجاجية البصرية (BK7، السيليكا المنصهرة، الكوارتز)، رقائق أشباه الموصلات (السيليكون، GaAs)، ركائز بلورية مفردة - (LiNbO₃، الياقوت)، ومكونات معدنية دقيقة.
التطبيقات
البصريات الدقيقة:مرشحات تعدد الإرسال (WDM) ذات الطول الموجي ضيق النطاق-، ومرايا خط الليزر، والطلاءات المتينة المضادة للانعكاس (AR)- لأنظمة الليزر عالية الطاقة-.
تصنيع أشباه الموصلات:عوازل أكسيد البوابة، وطبقات بذور الالتصاق المعدنية، وأغلفة تخميل حاجز الرطوبة-.
الإلكترونيات الضوئية المتقدمة:مستقطبات الأغشية الرقيقة-، وطبقات غلاف الدليل الموجي، وأغشية لوحة اللمس من الأكسيد الموصل الشفاف (TCO)-.
التخصيص
مرفقات الغرفة:جرس أسطواني عمودي-جرار، أو-تكوينات صندوق مربع مزدوج الباب، أو ممر غرف الأبحاث-من خلال التصميمات.
نمطية المصدر:تعداد جيب بوتقة مخصص، أو تكامل الكاثود المغنطروني الثانوي، أو إعدادات الطاقة المخصصة لتحيز التردد اللاسلكي.
هندسة الأتمتة:منطق تعشيق PLC مخصص، وطبقات أذونات أمان SCADA، وبروتوكولات تسجيل بيانات مضيف SECS/GEM.
ضبط الجودة
التحقق من صحة المكون:تخضع جميع الفلنجات الهيكلية، وقنوات التغذية الفراغية، وإلكترونيات الطاقة، وأجهزة التحكم في التدفق الشامل لاختبارات فردية الأبعاد والكهربائية قبل التجميع.
شهادة التسرب:تخضع الغرف المجمعة لاختبار تسرب مطياف كتلة الهيليوم؛ يجب أن تظل عتبة الرفض أقل من 1.0 × 10⁻⁹ Pa·m³/s.
اختبار قبول المصنع (FAT):التحقق الإلزامي من التشغيل الجاف المستمر لمدة 72-ساعة-يغطي منحنيات سحب الضخ، وميكانيكا الدوران الكوكبي متعددة المحاور، وحلقات الأمان التعشيقية، واستقرار انبعاث مدفع الشعاع الإلكتروني.
التثبيت والدعم الفني
التوثيق:يتم الشحن مزودًا برسومات التجميع الميكانيكية، والخطط الكهربائية، وتخطيطات P&ID، وسجلات المصدر المنطقي PLC، وأدلة الصيانة الوقائية.
في-تشغيل الموقع:يقوم مهندسو الخدمة الميدانية بتوجيه تحديد المواقع الميكانيكية، ووصلات المرافق (الطاقة، ومياه التبريد، والهواء المضغوط)، والخبز الأولي للنظام-.
التدريب على العمليات:يتضمن عمليات تشغيل المعايرة الأساسية، وضبط معلمات مصدر الأيونات، والتدريب على بروتوكول سلامة المشغل.
رعاية دورة الحياة:دعم التشخيص عن بعد عبر وحدات VPN المشفرة، وتخزين قطع الغيار الإقليمية، وعمليات تدقيق المعايرة المجدولة.
التعليمات
س: كيف تتم مراقبة سماكة الطبقة أثناء عمليات الترسيب متعددة الطبقات-؟
ج: يستخدم النظام موازين كريستال كوارتز دقيقة مزدوجة (QCM) لتتبع معدل الوقت والسمك الحقيقي-. بالنسبة لأكوام التداخل البصري المعقدة، فإنه يتكامل مع أنظمة المراقبة البصرية ذات النطاق العريض لتصحيح نقاط انتهاء الطبقة مباشرة من منحنيات الإرسال الطيفي.
س: ما هي البنية التحتية للمرافق المطلوبة في موقع التثبيت؟
ج: الإمداد الكهربائي: ثلاثي الطور، 380 فولت / 480 فولت، 50/60 هرتز (تم تكوينه وفقًا لمعايير الشبكة الإقليمية).
مياه التبريد: درجة الحرارة 15-20 درجة، الحد الأدنى لمعدل التدفق 30 لتر/دقيقة، ضغط الإمداد 0.3-0.4 ميجا باسكال.
Process Gases: Ultra-high purity (>99.999٪) يتم تنظيم Ar وO₂ وN₂ بشكل نظيف عند 0.15 ميجا باسكال.
س: ما هي المهلة القياسية من تأكيد الطلب إلى التسليم؟
ج: تتطلب التكوينات القياسية عادةً من 16 إلى 20 أسبوعًا. تتطلب أبعاد الغرفة المخصصة بالكامل أو الأنظمة الأساسية-تكامل المصادر المتعددة ما بين 24 إلى 30 أسبوعًا، ويعتمد ذلك على موافقة التصميم الهندسي-وشراء المكونات المتخصصة.
الوسم : أيون-نظام ترسيب الأغشية الرقيقة المساعد، الصين أيون-مصنعي نظام ترسيب الأغشية الرقيقة المساعد، الموردين، المصنع, معدات أفلام رقيقة صلبة, نظام CVD رفيع, معدات أفلام رقيقة لتطبيقات تصنيع أجهزة البيانات الكبيرة, معدات أفلام رقيقة لأجهزة الاستشعار والتطبيقات تصنيع المحركات, معدات أفلام رقيقة لتطبيقات الخلايا الشمسية, نظام معالجة الأفلام الرفيع

