نظام ترسيب الأغشية الرقيقة الهجين PVD

يدمج نظام ترسيب الأغشية الرقيقة الهجين PVD التبخر الحراري، وتبخر شعاع الإلكترون (e-شعاع)، وتناثر المغنطرون RF/DC ضمن بنية فراغية واحدة. يتيح هذا النظام الأساسي الترسيب المتسلسل أو المشترك- للمعادن والسبائك والمواد العازلة دون كسر الفراغ، مما يمنع الأكسدة بين الأسطح. تم تصميم النظام خصيصًا لمؤسسات البحث والتطوير وخطوط الإنتاج التجريبية، ويتعامل مع الركائز التي يصل حجمها إلى 6 بوصات من خلال التدوير التلقائي متعدد المحاور-.

المقابس المعيارية:تسمح حواف المصدر القابلة للتبديل بإعادة التكوين السريع بين كاثودات الرش ومبخرات الشعاع الحراري/الإلكتروني-.

هندسة العزلة:تعمل صمامات البوابة الهوائية على عزل غرفة العملية عن مجموعة التفريغ العالية- لتقليل توليد الجسيمات.

المراقبة في-الموقع:منافذ مخصصة لأجهزة استشعار التوازن الدقيق لبلورات الكوارتز (QCM) والتحليل الطيفي للانبعاثات البصرية (OES).

PLC للسلامة المتشابكة:تمنع أقفال الأجهزة تنشيط المصدر أثناء الضغط العالي، أو فشل مياه التبريد، أو انتهاكات السلامة.

مضخة التخشين:مضخة التمرير الجافة (30 م^3/ساعة) للقضاء على التدفق العكسي للهيدروكربون.

مضخة فراغ عالية:مضخة توربينية جزيئية مرفوعة مغناطيسيًا (1200 لتر/ثانية للنيتروجين) مدعومة بمصيدة مبردة.

المقاييس:تعمل أجهزة استشعار Pirani وCold Cathode المدمجة على تمديد الغلاف الجوي إلى 10^-7 Pa.

خبز:سترات سخان خرطوشة مع بطانيات عازلة خارجية تصل إلى 150 درجة مئوية.

مواد التبخير:
المعادن:الاتحاد الأفريقي، حج، آل، تي، الكروم، حزب العمال، النحاس، ني

العوازل والأكاسيد: SiO2، TiO2، Al2O3، إيتو

أشباه الموصلات:سي، جي

أنواع الركيزة:رقائق السيليكون البلورية-المفردة، والزجاج، والكوارتز، وأغشية البوليميد، والرقائق المعدنية.

الأجهزة الضوئية:أقطاب موصلة شفافة (ITO) وعاكسات متعددة{0}}طبقات لشاشات OLED والخلايا الشمسية.

التعبئة الإلكترونية الدقيقة:ضمن -طبقة المعدنة النتوءية (UBM) وطبقات البذور لتعبئة مستوى الرقاقة-.

البحث والتطوير المتقدم:هياكل الأجهزة الكمومية، والأغشية الرقيقة فائقة التوصيل، وتقاطعات النفق المغناطيسي (MTJ).

مقياس الغرفة:أبعاد ممتدة للركائز مقاس 12 بوصة أو تكامل صندوق القفازات.

إعداد المصدر:وحدات تخزين بوتقة مخصصة، ومصادر إمداد طاقة متحيزة للتردد اللاسلكي، ووحدات الترسيب بمساعدة الأيونات (IAD).

الأتمتة:إدارة الوصفات عبر الشاشة التي تعمل باللمس أو الامتثال الكامل لأتمتة مصنع SECS/GEM.

اختبار التسرب:اختبار مطياف كتلة الهيليوم لكل غرفة (< 1 x 10^-10 Pa*m^3/s threshold).

فحص الأبعاد:التحقق CMM من المصدر-إلى-مسافات الركيزة وتفاوتات الشفة.

الاختبارات الكهربائية:مرحبًا-اختبار القدرة، وفحوصات استمرارية التأريض، وعمليات تدقيق البيئة والصحة والسلامة على جميع خطوط الجهد العالي-.

اختبار قبول المصنع (FAT):يتم فحص -ما قبل الشحن للضغط الأساسي، ووظيفة المصدر، والتدوير الآلي في منشأتنا.

التثبيت الميداني:في-المحاذاة الميكانيكية للموقع، والتحقق من توصيل المرافق، واختبار قبول الموقع (SAT).

التوثيق:يشمل التسليم الكامل المخططات الكهربائية، ومخططات P&ID، والنسخ الاحتياطية لـ PLC، وشهادات اختبار المطاحن.